BGA8U1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 4.0 Ghz 至 6.0 Ghz 的宽频率范围。在应用配置中，LNA 在 4.5mA 的电流消耗下提供 13.7 dB 增益和 1.6 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 -7.5 dB 的插入损耗。

BGA8U1BN6 基于 科技 B7HF 硅锗技术。它采用 1.6 V 至 3.1 V 电源供电。该设备具有多状态控制(关闭，旁路和高增益模式)。

用于 4-6 Ghz 超高频段的低噪声放大器(即带有旁路的 LTE-U / LAA)