BGA8V1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 3.3 Ghz 至 3.8 Ghz 的宽频率范围。在应用配置中，LNA 在 4.2mA 的电流消耗下提供 15.0 dB 增益和 1.2 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 -5.3 dB 的插入损耗。

BGA8V1BN6 基于 科技 B9HF 硅锗技术。它采用 1.6 V 至 3.1 V 电源供电。该设备具有多状态控制(关闭，旁路和高增益模式)。

LTE 42 频段和 43 频段