BGS12PL6通用RF MOS功率开关设计适用于30 MHz到4 GHz的高功率应用，主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的传输路径。其单刀双掷配置的对称设计，如图1所示(见数据表)提供了很高的设计灵活性。该单电源芯片集成了芯片上的CMOS逻辑，由一个简单的单引脚CMOS或TTL兼容的控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过了开关的最大输入功率水平35 dBm，从而在所有信号水平上都具有线性性能。射频开关的插入损耗非常低，在1ghz为0.36 dB，在2ghz为0.46 dB，在3ghz为0.6 dB。

BGS12PL6射频开关采用MOS专利技术制造，具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高的ESD稳健性。

该设备的尺寸非常小，只有0.7x 1.1mm 2，低高度为0.31mm。只要没有直流应用到任何射频端口，在典型应用中都不需要解耦电容。

评估板:BGS12PL6单板