BGS12S3N6 RF MOS 开关专为 WLAN 和蓝牙应用而设计。2个端口中的任意一个端口均可用作分集天线处理的终端，最高可处理30dBm。

该单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑，该逻辑由一个简单的单引脚兼容 CMOS 或 TTL 的控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超出了开关的最大输入功率水平，从而在所有信号电平下实现了线性性能。射频开关插入损耗极低，在 1 GHz 时损耗为 0.25 dB，2.5 GHz 时仅为 0.29 dB。

与 GaAs 技术不同，只有在外部施加直流电压时才需要 RF 端口的外部直流隔离电容器。

BGS12S3N6 射频开关采用 专利的MOS技术制造，具有经济性和传统CMOS集成性能，可提供GaAs的性能，包括固有的更高ESD稳健性。

该设备有一个非常小型的尺寸，仅为 0.65x0.98mm2，最大高度为 0.375 mm。

高开关速度，非常适合WLAN和蓝牙应用