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BGS13S4N9

BGS13S4N9产品信息:

BGS13S4N9 RF MOS 开关专为电话和移动应用而设计。3个端口中的任意一个端口均可用作分集天线处理的终端,最高可处理30dBm。它具有出色的1kV ESD稳健性。

该 SP3T 在天线端口提供的插入损耗低,抗干扰稳健性高,在终端模式下的谐波产生较低。片上控制器集成了 CMOS 逻辑移位寄存器和电平移位寄存器,由 1.35 V 至 VDD 的控制输入驱动。

BGS13S4N9 射频开关采用 专利的CMOS技术制造,具有经济性和传统CMOS集成性能,可提供GaAs的性能。

特征描述

  • 3 个高线性度收发路径,功率处理能力高达 30 dBm
  • 极小的尺寸架构 ,1.1 x 1.1 mm2 x 0.375 mm
  • 低插入损耗@ 2.7GHz 0.55 dB
  • 低谐波产生
  • 端口到端口的高度绝缘
  • 覆盖 0.1 至 3.0 GHz
  • 包括 ESD 保护的片上控制逻辑
  • GPIO 控制接口
  • 无需电源阻断
  • 高电磁抗扰度 (EMI) 可靠性
  • 封装符合 RoHS 和 WEEE

潜在应用

RF CMOS开关专为Edge / CDMA2000 / LTE / WCDMA应用而设计

BGS13S4N9数据手册:

相关型号:

BB156 BAP50LX BAP142LX BB208-03 BB171
BAT18 BAP70AM BAP70-04W BAP70-03 BAP65LX
BAP65-05W BAP65-05 BAP64-06W BAP64-06 BAP64-05
BAP64-04 BAP51-06W BAP51-05W BAP51-04W BAP50-05W
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