DP12T 分集交叉开关，适用于载波聚合应用

BGSX212MA18 RF CMOS 开关专为 LTE 载波聚合应用而设计。DP12T 的插入损耗和谐波产生较低。此外，两个端口具有交叉功能，可为载波聚合应用提供更高的灵活性。

该开关通过 MIPI RFFE 控制器控制。片上控制器允许的电压范围为：1.1V 至 1.95 V。该开关可以直接连接电池，具有无直流 RF 端口。与 GaAs 技术不同，只有在外部施加直流电压时才需要 RF 端口的外部直流隔离电容器。该

BGSX212MA18 射频开关采用 专利的MOS技术制造，具有经济性和传统CMOS集成性能，可提供GaAs的性能，包括固有的更高ESD稳健性。该设备有一个非常小型的尺寸，仅为 2.0 x 2.4mm2，最大厚度为 0.6 mm.

RF CMOS 开关专为 LTE 载波聚合应用而设计。