BGSX22G2A10 RF MOS 开关专为 LTE 和 WCDMA 三重天线应用而设计。这种DPDT提供低插入损耗，产生低谐波，保证RF端口之间的高隔离度。 该开关通过 GPIO 接口控制。片上控制器的电源电压为2.3V至3.4V。这款开关的特点是直接连接电池功能和配备无直流RF端口。与 GaAs 技术不同，只有在外部施加直流电压时才需要 RF 端口的外部直流隔离电容器。

BGSX22G2A10 射频开关采用 专利的MOS技术制造，具有经济性和传统CMOS集成性能，可提供GaAs的性能，包括固有的更高ESD稳健性。

该设备有一个非常小型的尺寸，仅为1.15 x 1.55mm(2) ，最大厚度为 0.6mm。

BGSX22GN10 RF MOS是一款为双天线应用设计的专业开关。