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BS2130F-G

600V耐压 3相桥驱动器

BS2130F-G产品信息:

BS2130是可驱动使用自举方式的外接Nch-FET及IGBT的600V高耐压3相桥驱动器。输入逻辑电源电压可使用3.3V及5.0V两种。作为保护功能,在VCC-COM之间及VB-VS中搭载低输入误动作防止电路(UVLO)及过电流保护电路(OCP)。此外,为输出保护监测信号,搭载了FAULT端子,还可通过RCIN端子上连接的RC的时间常数调整OCP检测保持时间。

BS2130F-G数据手册:

BS2130F-G引脚功能、电路图:

G

代 表 公 司 GTE 美国微电路公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介

G-305

【用 途】 连程式传感器【性能 参数】G-305技术参数:工作电压:DC11-15V压力范围:-30IN/Hg—0—2BAR输出电压:0V—1.333V—4V误差范围:1%工作温度:20℃—100℃ 温度范围

LCC-G

封装代码 封装描述 资料 LCC-G 68-PIN CeramIC LCC (下载)

(G)QL53E

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】

(G)QL60K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 1A Vf=1.2V Lfsm=20A 【互换 兼容】

(G)QL52K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】

(G)QL56K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】

(G)QL52E

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】

(G)QL58C

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 100V 0.3A Vf=1.2V Lfsm=6A 【互换 兼容】

(G)QL57H

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 600V 0.2A Vf=1.2V Lfsm=4A 【互换 兼容】

相关型号:

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