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BSC030P03NS3 G

BSC030P03NS3 G产品信息:

高度创新型 OptiMOS 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。

特征描述

  • 增强模式
  • 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平
  • 雪崩评级
  • 无铅镀层;符合 RoHS

潜在应用

  • 消费品
  • 直流-直流
  • 电动交通
  • 电机控制
  • 应用指南
  • 板载充电器

BSC030P03NS3 G数据手册:

BSC030P03NS3 G引脚功能、电路图:

G

代 表 公 司 GTE 美国微电路公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介

G-305

【用 途】 连程式传感器【性能 参数】G-305技术参数:工作电压:DC11-15V压力范围:-30IN/Hg—0—2BAR输出电压:0V—1.333V—4V误差范围:1%工作温度:20℃—100℃ 温度范围

LCC-G

封装代码 封装描述 资料 LCC-G 68-PIN CeramIC LCC (下载)

(G)QL53E

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】

(G)QL60K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 1A Vf=1.2V Lfsm=20A 【互换 兼容】

(G)QL52K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】

(G)QL56K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】

(G)QL52E

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】

(G)QL58C

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 100V 0.3A Vf=1.2V Lfsm=6A 【互换 兼容】

(G)QL57H

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 600V 0.2A Vf=1.2V Lfsm=4A 【互换 兼容】

相关型号:

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