采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS 5 功率 MOSFET BSC037N08NS5T的封装采用了新型技术，有效改进了封装温度。新型组合提高了功率密度以及坚固性。

与额定值较低的MOSFET器件相比，T(J_MAX)可达 175 ℃，此 MOSFET 功率更高，且能够在更高的结温下工作，或在同等结温下具有较长的使用寿命。而且，安全工作区（SOA）也扩大了20%。这款新型封装更加适合电信、电机驱动器和服务器等应用。

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