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BSC112N06LD
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BSC112N06LD产品信息:
OptiMOS 60V功率MOSFET
优势
高功率密度双超SO8封装(占地面积最小)
优越的热阻
工作温度高达175°C
由于Q(gd)/Q(gs)<0.8,具有较高的穿透免疫能力
无铅电镀,符合RoHS要求
潜在应用
smp
无线感应充电
负荷开关
电池管理系统
LV驱动器
BSC112N06LD数据手册:
Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN
BSC112N06LD引脚功能、电路图:
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