逻辑电平 120 V OptiMOS 3 功率 MOSFET 采用小型封装，低R(DS（on）)
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逻辑电平 120 V OptiMOS 3 功率 MOSFET 采用小型封装，低R(DS（on）)
逻辑电平 OptiMOS 3 功率 MOSFET 特别适用于充电、适配器和电信等应用。该器件栅极电荷低，可降低开关损耗，而不影响导通损耗。逻辑电平 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。
特征描述
优势
潜在应用
代 表 公 司 GTE 美国微电路公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介
【用 途】 连程式传感器【性能 参数】G-305技术参数：工作电压：DC11-15V压力范围：-30IN/Hg—0—2BAR输出电压：0V—1.333V—4V误差范围：1%工作温度：20℃—100℃ 温度范围
封装代码 封装描述 资料 LCC-G 68-PIN CeramIC LCC (下载)
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 1A Vf=1.2V Lfsm=20A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 100V 0.3A Vf=1.2V Lfsm=6A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 600V 0.2A Vf=1.2V Lfsm=4A 【互换 兼容】
