N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装，其特性为 V(DS) = 600 V、R(DS(on) )= 60 Ohm。

凭借最佳性价比和小尺寸封装， 的小信号和小功率 MOSFET 是各种应用和电路的最优之选。其中包括低压驱动、线性电池充电器、电池保护、负载开关、DC-DC转换器、 反极性保护 等。

小信号/小功率N-沟道和P-沟道MOSFETs可提供广泛的 V(GS(th)) 水平和 R(DS(on) )值， 以及多种电压等级。凭借增强和耗尽型的双重选项以及工业级资质， 的产品组合成为了最适合工业和消费品市场的产品。

• 电池管理和保护
• 工业驱动
• LED背光
• 负载开关
• 反极性保护
• DC-DC转换器