下图是新益DSX-60B型高温电子消毒柜电原理图，其中FU是超温保险器，SB是电源按钮，ST是温度控制器，J是交流继电器，EH1、EH2是两根石英电热管。接入电源并按一下SB，消毒指示灯VD2（红色）亮，220V交流电经FU、SB、ST和J构成回路，J得电动作，其常开触点J1-1闭合（保持J闭合，电路自锁）。EH1、EH2发热，当消毒室中温度室的温度达到125℃时，ST自动断开电源，VD2熄灭，J

晶元:　　M10:ES-CEBHM10A　　联铨12：ET-EED12DBJ　　联铨14：ET-DED14NBN　　10*23：ES-CEDBV10F　　V10: ES-CEBLV10A　　V15：ES-CEDBV15　　PN14:ES-SMYLPN14　　PH14:ES-LAYLPH14　　广稼:203:203-SB　　A10:A10-SB　　A15:A15-SB　　A05:205-SB-5mA

从事半导体相关调查的美国IC Insights宣布，09年1月份的半导体产品平均售价在多个产品领域均高于08年12月份。半导体整体的平均售价也同比上升4％，4周的平均售价保持了自07年11月以后的最高价格。从不同领域来看，09年1月DRAM的平均售价比过去2年中价格最低的08年12月上升了5％。闪存整体的平均售价比08年12月上升11％，创08年6月以来的最高记录。NAND闪存同比上升17％。是

从事半导体相关调查的美国ICInsights宣布，09年1月份的半导体产品平均售价在多个产品领域均高于08年12月份(英文发布资料)。半导体整体的平均售价也同比上升4%，4周的平均售价保持了自07年11月以后的最高价格。从不同领域来看，09年1月DRAM的平均售价比过去2年中价格最低的08年12月上升了5%。闪存整体的平均售价比08年12月上升11%，创08年6月以来的最高记录。NAND闪存同比上升17%。是08年6月以来的最高值。其它产品情况如下。微处理

【据美通社2008年5月8日报道】NASA工程师在5月8日成功完成了J-2X发动机早期开发的首批试验。J-2X发动机将为“战神”－1火箭和“战神”－5火箭的上面级提供动力。从07年12月至08年5月，NASA共进行了9次传统J-2发动机试验，这些试验是校验性能数据并探索性能

【用　途】 多功能电话电路 【性能 参数】1-XTAL1 2-XTAL2 3-SA/MAO 4-SB/MA2 5-SD/MA3 6-SD/MA4 7/21-NC 8-DS0/MA8 9-SD1/MA9 10-SD2/AM10 11-SD3/MA11 12-SD4/MA12 13-CE1 14-CE2 1

2测量CPU(1)脚SB和(10)脚PWM无电压输出03测量CPU的（12）脚供电端+5v电压正常，检查复位电路VD11、R55、C27也正常。4用替换法代换晶振Yl(8MHz)、SB、PWM端口有信号输出，说明晶振失效。代换后故障排除。

　　该电源所用胶质线颜色与众不同，PSON用灰色线，+5V SB用棕色线。测PSON端电压为4.09V，+5V SB端电压为5.01V均为正常值。表明内部辅助电路工作正常。　　拆出电路板加电检测，IC1（μPC494）电源端（12）脚电压为24.6V，基准5V电压源（14）脚为5.09V，死区控制端（4）脚为3.42V均属正常。试用镊子直接

【用　途】 J-K触发器 【性能 参数】双J-K触发器,金属-氧化物-半导体型P沟道MOS,电源电压=0(12)～24(12)V。

【用　途】 模/数转换器 【性能 参数】双列32脚封装,12位逐次比较型模/数转换器,电源电压=5,15,-15V,典型模拟输入电压=5/±2.5,10/±5,±10V