轻松识别DDR内存颗粒编号-TOSHIBATOSHIBA DDR内存: TCXXXXXXXXXXXXX123456789　　1、TC代表是东芝的产品 2、59代表SDRAM代表是SDRAM 3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM 4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb 5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和3

1、变址寄存器（V/Z） 变址寄存器除了和普通的数据寄存器有相同的使用方法外，还常用于修改器件的地址编号。V、Z都是16位的寄存器，可进行数据的读写。当进行32位操作时，将V、Z合并使用，指定Z为低位 2、指针（P/I） 分支指令用P0～P62、P64～P127共127点。

串并联网络的选频特性 → 电路组成与振荡相位条件 → RC桥式正弦波振荡器工作原理 → 稳幅措施 → 频率调节1、RC串并联网络的选频特性RC串并联选频电路如图8.3所示，作相量分析如下：R 1 C 1 串联阻抗 Z1 = R 1 + 1 jω C 1 R 2 C 2 并联阻抗 Z 2 = R 2 1+jω C 2 选频特性F ˙ = U ˙ f U ˙ 0 = Z 2 Z 1 + Z 2

AT24C01/02/04/08/16/32系列EEPROM读写程序 作者：未知 文章来源： 网络 点击数： 990 更新时间：2007-9-3 21:48:58

2-4解码器电路的门级描述如下：module DEC2×4 (A,B,Enable,Z);input A,B,Enable;output [0:3] Z;wire Abar, Bbar;not # (1,2)V0 (Abar,A),V1(Bbar, B);nand # (4,3)N0 (Z[3], Enable, A,B),N1 (Z[0], Enable, Abar,Bbar),N2 (Z[1]

标题名称： 电化教育馆LED-display.cnLEDw.com/">LED电子显示屏询价采购公告 　　招标编号： 南政采询【2009】04号　　公告日期： 2009年2月18日　　截止日期： 2009年2月24日　　招标机构： 南政采询【2009】04号　　省 市： 四川省-巴中市　　内 容：项目名称：南江县电化教育馆电子显示屏采购　　采购方式：询价采购　　招标编号：南政采询【2009】04号

MHM系列是富士通笔记本最常见的产品之一，该硬盘又分为两大类 从硬盘盘体的条型码可以区分：60 PK C4 代表的意思是： PK为MHM高容量 C4 表示该盘有4个磁头，有的硬盘也直接以04 来表示。PK的固件只能用在PK上，可以向下兼容，如用PK 的原 20G固件，现需要写在一个10G的MHM上，只需要用16进制编辑器将MHM_04.MOD中的 04 04 00 01

[ 本帖最后由 spatial 于 2010-4-4 13:08 编辑 ]ITU-T -M_1.zip(2010-04-04 13:06:16, Size: 3.49 MB, Do

三菱plc变址寄存器的用法图片： 图片： 图片： 图片： 　　三菱plc变址寄存器分二种，即V（16位字元件），Z（16位字元件）。可像其它数据寄存器一样进行数据的读写，进行32bit操作时，将V/Z合并使用，指定Z为低位，V为高位。FX2N共有V0—V7，Z0—Z7 8对变址寄存器对。

加工如图所示螺纹孔的加工程序（设Z轴开始点距工作表面100mm处，切削深度为20mm）。　图6.17 螺纹加工循环　①先用G81钻孔％0101N10 G91 G00 M03N20 C98 G81 X40.0 Y40.0 Z-22.0 R-98.0 F100N30 G98 G81 X-120.0Z-22.0 R-98 L3N40 G98 G81 X-120.0 Y50.0 Z-2