25×18可扩展为26×18或25×19，如图所示，使用一个dsp48e及一个与门可实现此功能。实现方法由下方程表示：　　a[25:0]b[17:0]={((a[25:1]×b[17:0])+(a[0] and b[17:1])),(a[0] and b[0])}　　可用两个dsp48e实现的最大乘法器为35×25，第1个dsp48e的a输入接a［24∶0］，b输入接为｛0，b［16∶0］)；第2

【用　途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 50V 1.5A Vf=0.7V Lfsm=20A 【互换 兼容】

【用　途】 小功率稳压二极管【性能 参数】硅 稳定电压18.7-19.6V 工作电流5mA 500mW【互换 兼容】

国际半导体设备材料协会（SEMI）公布2014年4月北美半导体设备制造商接单出货比（B/B值），初估为1.03，为连续第7个月高于1，且订单、出货金额均呈现强劲的月增、年增动能，显示半导体业景气持续复苏SEMI预估今年半导体设备投资额年成长率约20％～25％，从目前B/B值的表现皆符合预期，不过，英特尔的14奈米进程及三星在Flash扩产计划将成为今年较大的变数。 根据SEMI最新报告，4月

用CMOS构成时间调节的点焊机电路b它用CMOS器件组成周波数控制电路，可在1～99个周波内任意选择。在实际使用中，大多在10周波内调节就够了。图中，集成电路均用CMOS电路；门电路1～20可用C036;计数器21、22可用C180；D触发器25、26可用C043;七段译码器用C036；LED数码管用BS202。

N10G92X0Y0Z200；N20G90G00X2Y2Z12；N30T01M06M08；N40G65P1127X50Y0Z10F8A10；N50G28；N60M05M09；N70M02；O1127；N10A#20；N20G81Z-#26R5F#9；N30G91；N40WHILE[#20>0]DO1；N50#20=#20-1；N60IF[#20EQ0]GOTO5；N70G00X#24Y#25；N80N5END1

国际半导体产业协会（SEMI）公布最新的北美半导体设备制造商订单出货比（B／B值）报告，10月预估为0.98，连续两个月下降，再度跌破1。由于台积电、英特尔等半导体大厂早已宣布下修今年全年资本支出，设备大厂汉微科也二度下修全年营收为持平或微降，对于10月B／B值再度跌破1的结果，各界并不意外。据SEMI公布的最新报告，10月北美半导体设备制造商平均订单金额13.3亿美元，B／B值为0.98，代表半

　　 凌特公司（linear technology corporation）推出采用紧凑型 3mm x 3mm dfn 封装的模式可择、高效率 500ma 升压型充电泵 ltc3203-1/b/b-1。ltc3203b 具有低噪声恒定频率（1mhz）工作模式和 2.7v 至 5.5v 的宽输入电压范围，并提供可调输出电压；而 ltc3203-1 和 ltc3203b-1 则具有 4.5v 或 5v

产品型号:MMBZ5237BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.790齐纳击穿电压Vz典型值(V):8.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):8.610@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):8最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8M封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价格/1片(套):￥.25欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/b

产品型号:MMBZ5242BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):30最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8S封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价格/1片(套):￥.25欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/b