25×18可扩展为26×18或25×19，如图所示，使用一个dsp48e及一个与门可实现此功能。实现方法由下方程表示：　　a[25:0]b[17:0]={((a[25:1]×b[17:0])+(a[0] and b[17:1])),(a[0] and b[0])}　　可用两个dsp48e实现的最大乘法器为35×25，第1个dsp48e的a输入接a［24∶0］，b输入接为｛0，b［16∶0］)；第2

【用　途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 50V 1.5A Vf=0.7V Lfsm=20A 【互换 兼容】

齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.500@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):95最大功率PMax(W):0.225芯片标识:Z14封装/温度(℃):SOT-23/-65~150价格/1片(套):￥.25欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/b

齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.140@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):5最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8K封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价格/1片(套):￥.25欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/b

齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.510@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):7最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8J封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价格/1片(套):￥.25欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/b

齐纳击穿电压Vz典型值(V):8.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):8.610@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):8最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8M封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价格/1片(套):￥.25欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/b

齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):30最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8S封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价格/1片(套):￥.25欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/b

齐纳击穿电压Vz典型值(V):7.500齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.880@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):6最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8L封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价格/1片(套):￥.25欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/b

稳压电源中增设的过流保护回路经常是用检测电阻Rs两端电压，当该电压达到规定值时，关断调整晶体管，从而达到保护的目的，如图1-23（a）所示。　　对于低电压大电流的电源，Rs的损耗不能小看。图1-23（b）中，通常的工作状态下，A点电压脉动小，而B点的电压脉动大。　　若出现过大电流，A点稍有些下降，但B点脉动显著变大，如图1-23(c)所

产品型号:MMBT5089LT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):50直流电流增益hFE最小值(dB):400直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥.30欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/b