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BUK9K35-60RA
分享到：
LFPAK56D中采用重复雪崩技术的双n通道60 V, 35 mOhm逻辑级MOSFET
BUK9K35-60RA产品信息：
特性
完全符合AEC-Q101在175°C的性能
重复性雪崩额定温度30°C, T(j)升高:
测试到10亿次雪崩事件
LFPAK铜夹封装技术:
高稳健性和可靠性
鸥翼引线的高制造性和AOI
目标应用
12v, 24v和48v汽车系统
重复的雪崩拓扑
发动机控制
传输控制
执行机构和辅助负载
BUK9K35-60RA数据手册：
BUK9K35-60RA.pdf
BUK9K35-60RA引脚功能、电路图：
相关型号：
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