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CSD25211W1015
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- 20v, P通道NexFET 功率MOSFET，单WLP 1 mm x 1.5 mm, 33 mOhm，栅极ESD保护
CSD25211W1015产品信息：
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 R(西塔JA) = 119°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板(PCB) 上的 1 英寸(2) 2 盎司 铜过渡片上测得的典型值。脉宽 ≤ 10μs，占空比 ≤ 2%
CSD25211W1015数据手册：
P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A)
CSD25211W1015引脚功能、电路图：
相关型号：
CT2520DB
CT1612DB
CX3225SA40000D0GTV**
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