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CSD25213W10
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- 20v, P通道NexFET 功率MOSFET，单WLP 1 mm x 1 mm, 47 mOhm，栅极ESD保护
CSD25213W10产品信息：
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 在 1 in(2)2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，R(西塔JA)=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。
CSD25213W10数据手册：
P 通道NexFET™ 功率MOSFET, CSD25213W10 数据表
CSD25213W10引脚功能、电路图：
相关型号：
CT2520DB
CT1612DB
CX3225SA40000D0GTV**
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