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这款 -20V，7.7毫欧 NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少 SON 3 × 3 封装内的功率转换负载管理应用中的损耗，此封装类型针对器件的尺寸提供出色的热性能。
顶视图 R(西塔JA) = 55°C/W，这是在厚度为 0.060" 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸(2) 铜过渡垫片（2 盎司）上测得的典型值。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
