这款 29.7毫欧、-20V P 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸而设计。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。