这款 -20V、64毫欧、P 沟道 FemtoFET MOSFET 的设计经过了优化，能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10k欧姆 钳位电阻器 (R(C)) 可根据占空比让栅极电压 (V(GS)) 高于最大内部栅极氧化值 -6V。通过二极管的栅极泄漏 (I(GSS)) 随着 V(GS) 增加到高于 -6V 而增加。