【用　途】 行输出变压器【性能 参数】1-2-4 3-6-8-9-10【互换 兼容】0255

产品型号:MC908GP32CPE工作电压(V):3.0, 5.0Flash(字节):32KRAM(字节):512EEPROM(字节):512定时器:4×16bit IC,OC,或PWMI/O:29串行通讯:SCI,SPIA/D:8×8bitPWM:4×16bitCOP:Y最大总线频率(MHz):8附加资料:内嵌512字节EEPROM封装/温度(℃):PDIP-40/-40~85价格/1片(套):

32KB的RAM,512KB的FLASH，16个10位A/D通道，1个10位D/A通道。LPC2131是基于一个支持实时仿真和嵌入式跟踪的32/16 位ARM7TDMI-STM CPU 的微控制器，并带有32kB、64kB、512 kB 的嵌入的高速Flash 存储器。

产品型号:MC68HC908AB32CFU工作电压(V):5Flash(字节):32KRAM(字节):1KEEPROM(字节):512定时器:4CH定时器专用+4CH×16bit IC,OC,或PWMI/O:51串行通讯:SCI,SPIA/D:8×8bitPWM:4×16bitCOP:Y最大总线频率(MHz):8附加资料:可编程中断定时器模块封装/温度(℃):64 QFP/-40~85价格/1片(

产品型号:mc68hc908ab32cfu工作电压(v):5flash(字节):32kram(字节):1keeprom(字节):512定时器:4ch定时器专用+4ch×16bit ic,oc,或pwmi/o:51串行通讯:sci,spia/d:8×8bitpwm:4×16bitcop:y最大总线频率(mhz):8附加资料:可编程中断定时器模块封装/温度(℃):64 qfp/-40~85价格/1片(

" border=""1"" alt=""销售不佳 微软Surface RT计划全线降价150刀"" width=""500"" height=""366"" src=""http://www.21ic.com/d/file/201307/502d7435a92843607dacb3e8200b4425.jpg_w600.jp

MRFE6VS25N：25瓦CW，超过26分贝的增益从1.8到30兆赫，512兆赫超过25分贝，50％至73％的效率，并到> 65:1全额定性能的VSWR。MRFE6VP100H：100瓦CW，在512 MHz的增益为26 dB，从30至512兆赫超过19分贝，40％至71％的效率，并到> 65:1全额定性能的VSWR。

HT4xR068B ROM为16kx16、RAM为512 Bytes、HT4xR069B ROM为32kx16、RAM为1kBytes;HT4xR068B与HT4xR069B内建有16个通道的12-bitA/D、4个通道的8-bit PWM、1个通道的12-bit D/A与串行传输接口SPI/I2C，可减少外围零件、缩小PCB Size及降低成本，非常适合家电类、工业类与小型微控制系统的应用。 　　

HT4xR068B ROM为16kx16、RAM为512 Bytes、HT4xR069B ROM为32kx16、RAM为1kBytes；HT4xR068B与HT4xR069B内建有16个通道的12-bitA/D、4个通道的8-bit PWM、1个通道的12-bit D/A与串行传输接口SPI/I2C，可减少外围零件、缩小PCB Size及降低成本，非常适合家电类、工业类与小型微控制系统的应用。 　　 　　

65nm MLC技术为目前批量生产的90nm NOR闪存顺利升级铺平了道路，同时还提高了闪存的密度和性能　　2007年2月14日 — 世界领先的手机闪存解决方案供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM)今天推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NO