描述

Dual 30V N-Channel mosfet with Dual 3.0A Super Barrier Rectifier together封装在4.0 x 4.0 x 0.6 mm DFN Package中

应用程序

无线充电，交直流整流，为便携式产品的电源管理应用优化。

特性

1. 漏源击穿电压:30V最大漏极电流:3.2A
2. 最大泄漏电流IR小于400 uA，在25℃
3.整流作为一个整体:整流正向电压小于0.56V。整流漏电和反向漏电电流小于1ma。