描述

dgd021c单高速/低侧MOSFET和IGBT驱动器能够驱动1.9A的峰值电流。DGD0211C逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，易于与mcu接口。DGD0211C提供非反相和反相输入。

由于dgd021c的快速传播时间通常为35ns，上升/下降时间通常为15ns，因此dgd021c非常适合高速应用
比如开关电源和PFC电路。

dgd021c采用TSOT25封装，工作温度从-40°C到+125°C。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 线的司机
• 电机控制
• 开关模式电源

特性

• 驱动mosfet和igbt的高效低成本解决方案
• 宽电源电压工作范围:4.5V至18V
• 1.9A源/ 1.8A汇聚输出电流能力
• 非反相和反相输入配置
• 快速传播延迟(35ns典型值)
• 快速上升和下降时间(15ns典型)
• 逻辑输入(IN, IN*) 3.3V能力
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C
• 完全无铅,完全符合RoHS标准(注1 &2）
• 无卤素和锑。“绿色”装置(注3)
• 对于需要特定变更控制的汽车应用(即符合AEC-Q100/101/200, PPAP能力，并在IATF 16949认证设施制造的零部件)，请联系我们或您的当地代表。