描述

DGD0215和DGD0216高速/低侧MOSFET和IGBT驱动器能够驱动1.9A的峰值电流。DGD0215和DGD0216逻辑输入兼容标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)，便于与mcu接口。内部欠压锁定(UVLO)将保护mosfet与电源损失时，关闭输出时，Vcc低于操作范围。快速和良好匹配的传播延迟允许高速运行，使更小和更紧凑的功率开关设计使用更小的相关组件。

DGD0215和DGD0216具有良好的抗噪声性能，接地针的正负功率可达5V而不损坏。该设备还可以承受500mA的反向电流强制返回输出而不损坏或逻辑变化。DGD0215提供反向输出和DGD0216
提供非反向输出。

DGD0215和DGD0216采用TSOT25 (TH型)封装，工作温度从-40°C到+125°C。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 线的司机
• 电机控制
• 开关模式电源

特性

• 驱动mosfet和igbt的高效低成本解决方案
• 宽电源电压工作范围:4.5V至18V
• 1.9A源/ 1.8A汇聚输出电流能力
• 逆变和非逆变输入配置
• 快速传播延迟(35ns典型)
• 快速上升和下降时间(15ns类型)
• 逻辑输入(IN) 3.3V能力
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C
• 完全无铅,完全符合RoHS标准(注1 &2）
• 无卤素和锑。“绿色”装置(注3)
• 对于需要特定变更控制的汽车应用(即符合AEC-Q100/101/200, PPAP能力，并在IATF 16949认证设施制造的零部件)，请联系我们或您的当地代表。