描述

DGD0280高速、低侧MOSFET和IGBT驱动器能够驱动1.9A的峰值电流。DGD280逻辑输入兼容标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)，易于与mcu接口。内部欠压锁定(UVLO)保护与电源损失的MOSFET关闭输出时，VCC低于操作范围。快速和良好匹配的传播延迟允许高速运行，使更小，更紧凑的功率开关设计使用更小的相关组件。

DGD0280有一个集成的LDO，输出3.3V，±1%公差，能够供应15mA。DGD0280提供非倒置输出。DGD0280采用节省空间的TSOT25封装，工作温度范围从-40°C到+125°C。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 线的司机
• 电机控制
• 开关模式电源

特性

• 驱动mosfet和igbt的高效低成本解决方案
• 集成LDO (3.3V, 15mA输出)
• 3.3V LDO, 1%精度，25°C
• 宽电源电压工作范围:4.5V至18V
• 2.5A源/ 2.8A汇输出电流能力
• Vcc电源欠压锁定
• 快速传播延迟(35ns典型值)
• 快速上升和下降时间(20ns典型)
• 逻辑输入(IN) 3.3V能力
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C
• 完全无铅,完全符合RoHS标准(注1 &2）
• 无卤素和锑。“绿色”装置(注3)