描述

DGD0590A是一种高频高边和低边栅极驱动器，能够驱动半桥配置的n沟道mosfet。该浮动高端驱动器的额定电压高达40V，并为mosfet提供5V栅极驱动器。

DGD0590A逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，易于与mcu接口。UVLO将保护ic和mosfet的电源损失。

快速和良好匹配的传播延迟允许更高的开关频率，使更小，更紧凑的功率开关设计，使用更小的相关组件。DGD0590A采用V-QFN3030-8封装，工作温度范围从-40°C到+125°C。

应用程序

• 无线充电的充电器
• 马达驱动
• 逻辑电平MOSFET栅极驱动器

特性

• 40V浮动高侧驱动器
• 低VCC工作电压:4.5V ~ 5.5V
• 驱动半桥配置的两个n通道逻辑电平mosfet
• 高侧1.0A源/ 1.0A汇和低侧1.0A源/ 3.0A汇输出电流能力
• 内部Bootstrap二极管包括
• 3.4V UVLO与0.4V滞后
• 快速上升和下降时间(27ns/17ns)与3nF负载
• 传输延迟典型的高侧为16ns，低侧为12ns
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C