描述

DGD1003是一款高压/高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道mosfet和igbt。高压处理技术使DGD1003的高侧在引导操作中切换到150V。

DGD1003逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，易于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。DGD1003固定的内部死时间为420ns(典型)。

DGD1003采用V-DFN3035-8封装，工作温度范围从-40°C到+125°C。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 直粱逆变器
• 交直流电源
• 电机控制
• D类功率放大器

特性

• 在引导操作中浮动高侧驱动器到150V
• 驱动半桥配置的两个n通道mosfet或igbt
• 290mA源/600mA Sink输出电流能力
• 输出对负瞬态的容忍度
• 保护mosfet的内部死区时间为420ns
• 宽低侧栅极驱动电源电压:10V到20V
• 逻辑输入(HIN和LIN*) 3.3V能力
• 施密特触发逻辑输入
• VCC欠压锁定(逻辑和低侧电源)
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C
• 完全无铅,完全符合RoHS标准(注1 &2）
• 不含卤素和锑。“绿色”装置(注3)
• 对于需要特定变更控制的汽车应用(即符合AEC-Q100/101/200, PPAP能力，并在IATF 16949认证设施制造的零部件)，请联系我们或您的当地代表。