描述

DGD1504是一款高压/高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道mosfet和igbt。高压处理技术使DGD1504的高侧在引导操作中切换到250V。

DGD1504逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，易于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。DGD1504有一个固定的430ns的内部死时间(典型)。

DGD1504采用SO-8 (TH型)封装，工作温度范围从-40°C到+125°C。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 直粱逆变器
• 交直流电源
• 电机控制
• D类功率放大器

特性

• 浮动高侧驱动器在引导操作到250V
• 以半桥结构驱动两个n通道mosfet或igbt
• 290mA源/ 600mA Sink输出电流能力
• 输出对负瞬态的容忍度
• 保护mosfet的430ns内部死区时间
• 宽低侧栅极驱动电源电压:10V到20V
• 逻辑输入(IN和SD*) 3.3V能力
• 施密特触发逻辑输入
• VCC欠压锁定(逻辑和低侧电源)
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C