描述

DGD2005是一种中压/高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n -沟道mosfet和igbt。高压处理技术使DGD2005的高端能够在引导操作中切换到200V。30ns(最大)传播延迟匹配之间的高侧和低侧驱动器允许高频切换。

DGD2005逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，易于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。低侧门驱动器和逻辑共享一个共同的基础。

DGD2005采用节省空间的SO-8 (TH型)封装，工作温度范围从-40°C到+125°C。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 直粱逆变器
• 交直流电源
• 电机控制
• D类功率放大器

特性

• 在引导操作中浮动高侧驱动器至200V
• 驱动半桥配置的两个n通道mosfet或igbt
• 输出对负瞬态的容忍度
• 宽逻辑和低侧栅极驱动电源电压:10V到20V
• 逻辑输入(HIN和LIN) 3.3V能力
• 施密特触发逻辑输入与内部下拉
• 最大30ns延迟匹配
• 典型源/汇脉冲电流为290mA/600mA
• Vcc欠压锁定
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C