描述

DGD2012是一款中压/高速栅极驱动器，能够驱动半桥配置的n -沟道mosfet和igbt。高压处理技术使DGD2012的高端在引导操作中切换到200V。

DGD2012逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，易于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。

DGD2012采用节省空间的SO-8 (TH型)封装，工作温度范围从-40°C到+125°C。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 直粱逆变器
• 交直流电源
• 电机控制
• D类功率放大器

特性

• 在引导操作中浮动高侧驱动器至200V
• 驱动半桥配置的两个n通道mosfet或igbt
• 1.9A源/ 2.3A Sink输出电流能力
• 输出对负瞬态的容忍度
• 宽低侧栅极驱动电源电压:10V到20V
• 逻辑输入(HIN和LIN) 3.3V能力
• 施密特触发逻辑输入与内部下拉
• 高侧和低侧驱动器的欠压锁定
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C