描述

DGD2101M是一款高压/高速栅极驱动器，能够驱动n通道mosfet和igbt在高/低侧配置。高压处理技术使DGD2101M的高侧能在引导操作中切换到600V。50ns(最大)传播延迟匹配之间的高侧和低侧驱动器允许高频率切换。

DGD2101M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。低侧门驱动器和逻辑共享一个共同的基础。

DGD2101M采用节省空间的8引脚SO (Type TH)封装，工作温度范围为-40℃~ +125℃。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 直粱逆变器
• 交直流电源
• 电机控制
• D类功率放大器

特性

• 在引导操作中浮动到600V的高侧驱动器
• 驱动高/低侧配置的两个n通道mosfet或igbt
• 输出对负瞬态的容忍度
• 宽低侧栅极驱动器和逻辑电源:10V到20V
• 兼容CMOS和TTL (Down to 3.3V)
• 施密特触发逻辑输入与内部下拉
• VCC欠压锁定
• 节省空间SO-8 (TH型)封装可用
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C