描述

dgd2130m是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥结构驱动n通道mosfet和igbt。高压处理技术使dgd2130m的高侧能在引导操作中切换到600V。

dgd2130m逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，易于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。dgd2130m有一个固定的420ns的内部死区时间(典型)。

dgd2130m采用SO-8 (TH型)封装，工作温度范围从-40°C到+125°C。

应用程序

• 电机控制

特性

• 在引导操作中浮动到600V的高侧驱动器
• 驱动半桥配置的两个n通道mosfet或igbt
• 专为提高性能的噪声电机应用
• 290mA源/600mA Sink输出电流能力
• 输出对负瞬态的容忍度
• 保护mosfet的内部死区时间为420ns
• 宽低侧栅极驱动电源电压:10V到20V
• 逻辑输入(HIN和LIN*) 3.3V能力
• 施密特触发逻辑输入
• VCC欠压锁定(逻辑和低侧电源)
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C