描述

DGD2104M是一款高压/高速栅极驱动器，能够驱动半桥配置的n通道mosfet和igbt。高压处理技术使DGD2104M的高侧能在引导操作中切换到600V。

DGD2104M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，易于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。

DGD2104M采用SO-8 (TH型)封装，工作温度范围从-40°C到+125°C。

应用程序

——直流-直流转换器
——直粱逆变器
—交流—直流电源
——电动机控制
- D类功率放大器

特性

-浮动高侧驱动在引导操作到600V
-驱动半桥配置的两个n通道mosfet或igbt
- 290mA源/ 600mA Sink输出电流能力
-为提高噪声电机应用性能而设计
-输出负瞬态容忍度
-内部死区保护mosfet
-宽低侧栅极驱动电源电压:10V到20V
—逻辑输入(IN和SD*) 3.3V能力
-施密特触发逻辑输入
- VCC欠压锁定(逻辑和低侧电源)
—扩展温度范围:—40℃~ +125℃
-完全无铅完全符合RoHS标准(注1 &2）
-无卤素和锑。“绿色”装置(注3)