描述

DGD2110和DGD2113是高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧输出。高端驱动器具有浮动电源，可在500V/600V的电压下运行。10ns (max) / 20ns (max)传播延迟匹配的高侧和低侧驱动器允许高频操作。

DGD2110和DGD2113逻辑输入与标准CMOS电平兼容(低至3.3V)，而驱动输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动交叉传导。

DGD2110和DGD2113提供16引脚SO封装。它们可以在-40°C到+125°C的温度范围内工作。

应用程序

• 电机控制
• 交直流电源

特性

• 驱动两个高/低侧配置的n通道mosfet或igbt
• 浮动高侧操作到600V
• 2.5A汇聚/ 2.5A源典型输出电流
• 输出对负瞬态的容忍度
• 宽栅极驱动器电源电压范围:10V到20V
• 宽逻辑输入电源电压范围:3.3V至20V
• 宽逻辑电源偏置电压范围:-5V到5V
• 1000pF负载下15ns (typ)上升/ 13ns (typ)下降次数
• 105ns (typ) Turn-On / 94ns (typ) Turn-Off Delay time
• 循环边触发关机电路
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C
• 完全无铅,完全通过无铅认证
• 不含卤素和锑。“绿色”设备