描述

DGD2117和DGD2118是高压/高速栅极驱动器，能够在bootstrap配置中驱动一个N-Channel MOSFET或IGBT。高压处理技术使DGD2117和DGD2118可以在600V电压下切换。

DGD2117和DGD2118逻辑输入与标准CMOS输出兼容。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。单浮动通道可用于高侧和低侧配置。

DGD2117和DGD2118采用SO-8 (TH型)封装，工作温度从-40°C到+125°C。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 直粱逆变器
• 交直流电源
• 电机控制
• D类功率放大器

特性

• 浮动通道在引导操作到600V
• 驱动一个n通道MOSFET或IGBT
• 输出对负瞬态的容忍度
• 宽逻辑电源:10V到20V
• 施密特触发逻辑输入内部拉下
• 欠压锁定
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C
• 完全无铅,完全通过无铅认证
• 无卤素和锑。“绿色”设备