DGD2136M是一款专为高压/高速应用设计的三相栅极驱动IC,以半桥配置驱动n -沟道mosfet和igbt。高压处理技术使DGD2136M的高侧能在引导操作中切换到600V。
DGD2136M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容,便于与控制设备接口,并能在高噪声环境下更好地发挥作用。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。
DGD2136M具有多种保护功能。当两个输入都是高的(故障状态)时,一个击穿保护逻辑防止两个输出都是高的,VCC的欠压锁定关闭各自的高侧输出。过流保护将终止6个输出。VCC UVLO和过流保护跳闸自动故障清除与时间可调外部电容。
DGD2136M采用SO-28封装,工作温度从-40°C到+125°C。