描述
DGD2181M是一款高压/高速栅极驱动器,能够以半桥结构驱动n -沟道mosfet和igbt。高压处理技术使DGD2181M的高端能够在引导操作中切换到600V。
DGD2181M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容,便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。
DGD2181M提供SO-8 (TH型)封装和
工作温度从-40°C到+125°C。
应用程序
- 直流-直流转换器
- 直粱逆变器
- 交直流电源
- 电机控制
- D类功率放大器
特性
- 在引导操作中浮动到600V的高侧驱动器
- 驱动半桥配置的两个n通道mosfet或igbt
- 1.9A源/ 2.3A Sink输出电流能力
- 输出对负瞬态的容忍度
- 宽低侧栅极驱动器和逻辑电源:10V到20V
- 逻辑输入(HIN和LIN) 3.3V能力
- 施密特触发逻辑输入与内部下拉
- 高侧和低侧驱动器的欠压锁定
- 扩展温度范围:-40°C到+125°C
- 完全无铅,完全符合RoHS标准(注1 &2)
- 无卤素和锑。“绿色”装置(注3)