描述

DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器，能够驱动半桥配置的n -沟道mosfet和igbt。高压处理技术使DGD21904M的高侧能在高dV/dt条件下通过引导操作切换到600V。

DGD21904M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。

DGD21904M可采用SO-14 (TH型)封装。工作温度从-40°C到+125°C。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 直粱逆变器
• 交直流电源
• 电机控制
• D类功率放大器

特性

• 浮动高端驱动器在引导操作到600V
• 以半桥结构驱动两个n -沟道mosfet或igbt
• 输出驱动程序能够4.5A/4.5A类型接收器/源
• 逻辑输入(HIN和LIN) 3.3V能力
• 施密特用内部下拉触发逻辑输入
• 高侧和低侧驱动器的欠压锁定
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C