描述

DGD2190M是一种高电压/高速栅极驱动器，能够驱动n -沟道mosfet和igbt在半桥配置。高压处理技术使DGD2190M的高侧能在高dV/dt条件下自动切换到600V。

DGD2190M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。

DGD2190M采用SO-8 (TH型)封装，可在-40°C至+125°C的温度范围内工作。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 直粱逆变器
• 交直流电源
• 电机控制
• D类功率放大器

特性

• 在引导操作中浮动到600V的高侧驱动器
• 驱动半桥配置的两个n通道mosfet或igbt
• 输出驱动能够4.5A/4.5A类型汇聚/源
• 逻辑输入(HIN和LIN) 3.3V能力
• 施密特触发逻辑输入与内部下拉
• 高侧和低侧驱动器的欠压锁定
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C