描述

DGD2304是一种高压/高速栅极驱动器，能够驱动半桥配置的n通道mosfet和igbt。高压处理技术使DGD2304的高侧在引导操作中切换到600V。

DGD2304逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(降至3.3V)兼容，易于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲设计的最小驱动器交叉传导。100ns的内部死区时间保护高压mosfet不击穿。

DGD2304采用SO-8封装，工作温度范围从-40°C到+125°C。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 直粱逆变器
• 交直流电源
• 电机控制
• D类功率放大器

特性

• 浮动高侧驱动器在引导操作到600V
• 驱动半桥配置的两个n通道mosfet或igbt
• 290mA源/600mA Sink输出电流能力
• 输出对负瞬态的容忍度
• 内部逻辑和死时间(100ns)保护mosfet
• 逻辑输入(HIN和LIN) 3.3V能力
• 施密特触发逻辑输入与内部下拉
• 高侧和低侧驱动器的欠压锁定
• 扩展温度范围:-40°C到+125°C
• 完全无铅,完全符合RoHS标准(注1 &2）
• 无卤素和锑。“绿色”装置(注3)