描述

这个新一代30V N通道增强模式MOSFET DIOFET利用一个独特的专利过程，单片集成MOSFET和肖特基在一个单一的模具提供:

• 低R(DS(ON)) -最小化导通损耗
• 低电压(SD) -减少由于主体二极管传导造成的损失
• 低Q(rr) -低Q(rr)的集成肖特基降低了主体二极管开关损耗
• 低栅极电容(Q(g)/Q(gs))比率-降低高风险通过或交叉传导电流在高频率
• 雪崩坚固- I(AR)和E(AR)额定

应用程序

• 通用接口开关
• 电源管理功能
• 直流-直流转换器
• 模拟开关