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DMN1054UCB4

n通道增强模式mosfet

DMN1054UCB4产品信息:

描述

这第三代横向MOSFET (LD-MOS)设计最大限度地减少了通态损耗和开关超快,使其成为高效率功率转移的理想选择。它采用芯片级封装(CSP),通过结合低热阻抗和最小的RDS(on)每个占地面积来提高功率密度。

应用程序

  • 直流-直流转换器
  • 电池管理
  • 负荷开关

特性

  • 性能最低的LD-MOS技术:
    RDS(on) = 37毫欧最小化通态损耗
    Qg = 7.5nC用于超高速切换
  • Vgs(th) = 0.6V typ。用于低开启电位
  • CSP带足迹0.8mm × 0.8mm
  • 低轮廓高度= 0.35mm

DMN1054UCB4数据手册:

DMN1054UCB4引脚功能、电路图:

相关型号:

DS D10040300GTH D10040270GTL D10040270GTH D10040270GT
D10040250GTH D10040250GT D10040240GTH D10040240GT D10040220GTH
D10040220GT D10040200GTH D10040200GT D10040180GTH D10040180GT
DSPC56371AF150 DSPB56725CAF DSPB56725AF DSPB56724AG DSPB56721CAF
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