描述

这种新一代MOSFET的设计是最小的通态电阻(RDS(ON))与薄WLCSP封装过程，但仍保持优越的开关性能，使其高效率电源管理应用的理想。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 电池管理
• 负荷开关

特性

• 内置G-S保护二极管，防止ESD 2kV HBM
• 最低RDS(ON)的Trench-MOS技术:
• RDS(ON) = 43毫欧最小化通态损耗
• VGS(TH) = 0.7V Typ。用于低开启电位
• CSP带足迹0.8mm × 0.8mm
• 低轮廓高度= 0.35mm
• 完全无铅,完全通过无铅认证
• 无卤素和锑。“绿色”设备