描述

这第三代横向MOSFET (LD-MOS)设计最大限度地减少了通态损耗和开关超快，使其成为高效率功率转移的理想选择。它使用芯片级封装(CSP)，通过结合低热阻抗和最小的RDS(ON)每占地面积来增加功率密度。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 电池管理
• 负荷开关

特性

• 性能最低的LD-MOS技术:
• RDS(ON) = 5.7毫欧最小化通态损耗
• Qg = 9.5nC用于超高速切换
• VGS(TH) = -0.7V Typ。用于低开启电位
• CSP的占地面积1.5mm x 1.5mm
• 低轮廓高度= 0.34mm
• 栅极ESD防护