描述

这第三代横向MOSFET (LD-MOS)设计最大限度地减少了通态损耗和开关超快，使其成为高效率功率转移的理想选择。它采用芯片级封装(CSP)，通过结合低热阻抗和最小的RDS(on)每个占地面积来提高功率密度。

应用程序

• 直流-直流转换器
• 电池管理
• 负荷开关

特性

• 最低性能值的LD-MOS技术:RDS(on) = 8.2毫欧以最小化通态损耗Qg = 8.1nC用于超高速开关
• Vgs(th) = -0.8V typ。用于低开启电位
• CSP，占地面积1.5mm × 1.5mm
• 低轮廓高度= 0.60mm
• ESD = 6kV HBM闸门保护