DMS2120LFWB 数据手册-pdf中文资料-产品介绍及应用电路

低导通电阻

95毫欧 @V(GS) = -4.5V

120毫欧 @V(GS) = -2.5V

150毫欧 (typ) @V(GS) = -1.8V

低门限电压，-1.3V Max

转换速度快

输入/输出低泄漏

集成低VF超级阻挡整流器(SBR)

低轮廓，0.5mm最大高度

无铅/通过无铅认证

“绿色”设备

符合AEC-Q101高可靠性标准

DMS2220LFDB/DMS2120LFWB/DMP216: DMS2220LFDB/DMS2120LFWB/DMP2160UFDBDiodes推出便携式充电设备的开关Diodes公司应用的高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。Diodes亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mmx2mmDFN2020及3mmx2mmDFN3020
MOSFET封装节省占板空间并提高充电器性能: Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm DFN2020及
Diodes公司;推出便携式充电设备开关: diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，dms2220lfdb和 dms2120lfwb把一个20v的p沟道增强模式mosfet与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm dfn2020及
Diodes推出便携式充电设备的开关: Diodes亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mmx2mmDFN2020及3mmx2mmDFN3020

DMS2120LFWB