特性和好处

• - DIOFET利用一种独特的专利工艺，将MOSFET和肖特基单片集成在一个模具中，提供:

-低RDS(ON) -最小化导通损耗
-低VSD -减少由于本体二极管传导造成的损失
-低QRR -低QRR的集成肖特基降低了主体二极管开关损耗
-低栅极电容(Qg/Qgs)比率-降低击穿或交叉传导电流的风险在高频率

• 小的形状因素，热效率封装，使更高的密度的最终产品
• 仅占SO-8的33%，可实现更小的终端产品
• 100% UIS(雪崩)额定
• 100% Rg测试
• 完全无铅,完全符合RoHS标准(注1 &2）
• 无卤素和锑。“绿色”装置(注3)
• 符合AEC-Q101高可靠性标准
• PPAP能力(注4)

描述和应用程序

这种MOSFET的设计是为了满足严格的要求
汽车应用。它是合格的AEC-Q101，由a
PPAP，适用于:

• 背光
• 电源管理功能
• 直流-直流转换器

机械数据

• 例:PowerDI 3333 - 8
• 外壳材质:成型塑料，“绿色”注塑复合材料。UL燃烧等级94V-0
• 湿度敏感性:1级每J-STD-020
• 端子连接指示灯:见图
• 端子:完成哑锡在铜引线上退火。可焊按MIL-STD-202，方法208
• 重量:0.072克(近似)